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商品名称：IMC200 离子注入机
| 型号 | IMC200 |
| 应用 | 设备主要用于半导体微电子衬底材料掺杂，在晶圆上注入B、P、As等元素，并且具备升级注入Al、H、N、He、Ar等其他元素功能 |
| 注入晶圆尺寸 | 6英寸，兼容5、4、3、2英寸，不规则小片，最小可注入1 cm²的样品。 |
| 注入能量范围 | 单价离子30KeV～200KeV，可升级二价/三价离子注入，注入能量可升级到400 KeV/600 KeV。 |
| 注入角度 | 0°、7°，可通过手动更换夹具的方式来改变注入角度。 |
| 注入剂量范围 | 1×1011 at/cm2 ～ 1×1018 at/cm2 |
| 注入均匀性 | Ÿ 4”片内、片间1σ ≤ 1.0 % （注入条件：4英寸硅片，1000 Å氧化层，11B，注入能量100KeV，注入剂量1×1014 at/cm².）； |
| Ÿ 6”片内、片间1σ ≤ 1.0 %（注入条件：6英寸硅片，1000 Å氧化层，11B，注入能量100KeV，注入剂量1×1014 at/cm²） | |
| 真空度 | Ÿ 离子源：≥ 2×10-6 mbar（2 x10-4 Pa）； |
| Ÿ 束流管：≥ 7×10-7 mbar（7x10-5 Pa）； | |
| Ÿ 靶室：≥ 7×10-7 mbar（7x10-5Pa）； | |
| Ÿ 离子源真空系统初真空泵为化学干泵，高真空泵为涡轮分子泵；束流管及终端真空系统初真空泵为干泵，高真空泵为冷泵。 | |
| 最大注入束流 | Ÿ 11B单价离子：≥ 600µA； |
| Ÿ 31P单价离子：≥ 1500µA； | |
| Ÿ 75As单价离子：≥ 1500µA。 | |
| （注入条件：6”晶圆，注入能量120KeV～200KeV）。 | |
| 离子源气路系统 | 包含5路气体：BF3、PH3、AsH3、Ar及N2，所有气路系统都集成在机器里面，能实时监控离子源气体消耗以及具备气瓶终点探测技术。 |
| 软件功能 | 包括但不限于：权限管理、参数管理、手动控制、实时数据、数据记录、报警管理等。软件可根据需求免费更新升级。 |
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